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三靶磁控濺射儀的的優點與安裝條件

日期:2025-03-12 19:17
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摘要:
    三靶磁控濺射儀是新自主研制開發的鍍膜設備,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。三靶磁控濺射配置三個靶槍,一個配套射頻電源用于非導電靶材的濺射鍍膜,兩個配套直流電源用于導電性材料的濺射鍍膜。與同類設備相比,其不僅應用廣泛,且具有體積小便于操作的優點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設備,特別適用于實驗室研究固態電解質及OLED等。

安裝條件

    本設備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。

    1、水:設備配有自循環冷卻水機(加注純凈水或者去離子水)

    2、電:AC220V 50Hz,必須有良好接地

    3、氣:設備腔室內需充注氬氣(純度99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶6mm雙卡套接頭)及減壓閥

    4、工作臺:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上

    5、通風裝置:需要

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