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本設備為雙靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。
雙靶磁控濺射鍍膜儀配置結構：
設備配有兩支磁控靶，兩套直流電源，可用于鍍多層導電金屬膜。同時設備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進行真空預抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設計能夠減少主腔室抽放真空的次數，不僅能有效節省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質量。
雙靶磁控濺射鍍膜儀技術參數：
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產品名稱 |
帶過渡艙型雙靶磁控濺射鍍膜儀 |
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產品型號 |
CY-MSP325G-2T-DVC-2DC（double vacuum chamber） |
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安裝條件 |
1、使用環境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh； 2、設備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地； 3、額定功率：5000w； 4、設備用氣：設備腔室內需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%； 5、擺放場地尺寸要求 1200mm×1200mm×2000mm； 6、擺放位置要求通風散熱良好。 |
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技術參數 |
1、 濺射電源：直流電源500W x2；*大輸出電壓600V，極限輸出電流1000mA 2、 磁控靶：2英寸平衡靶，配磁耦合擋板； 3、 磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚導電金屬靶材 4、 腔體尺寸：主腔體φ325mm x 410mm；過渡腔體150x150x150mm 5、 腔體功能：主腔體配有密封圈密封的側開門，帶擋板的石英觀察窗，及轉移樣品用的手動操作桿。過渡腔體配有密封圈密封的帶石英視窗的上蓋，運送樣品進主腔體的磁耦合推桿，獨立的真空系統。 6、 腔體材質： 不銹鋼304 7、 旋轉加熱樣品臺：轉速1~20rpm 連續可調；加熱溫度*高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。 8、 冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環水冷機； 9、 水冷機：水箱容積9L，流速10L/min 10、 供氣系統：質量流量計， 氣體類型Ar氣，流量1~200sccm（可定制）； 11、 流量計精度：±1.5%量程 12、 真空腔體抽氣接口為 CF160； 13、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭； 14、 顯示屏為14工控電腦一體機； 15、 可調節濺射電流，可設置濺射**電流值、**真空值； 16、 **保護：過流、真空過低自動切斷濺射電流； 17、 真空系統：主腔體配有CY-GZK103高真空分子泵組，分子泵抽速600L/s；過渡腔體配有小型分子泵組，分子泵抽速60L/s。兩組真空系統可獨立工作和控制，腔室之間及真空系統內的氣動閥均有程序控制，可實現一鍵動作，方便快捷。 18、 極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)； 19、 真空測量為復合真空計，其量程為：10-5Pa～105Pa |
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注意事項 |
1、 為了達到較高的無氧環境，至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。 2、 磁控濺射對進氣量比較敏感，需要使用質量流量計控制進氣量。 3、 設備不使用時應將腔體保持真空。 4、 長時間未抽真空，再次使用時應進行除氣操作，以提高真空性能。 |
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可選配件 |
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膜厚監測儀 |
1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁） 2、膜厚準確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置， 材料應力，溫度和密度 3、測量速度：100ms-1s/次，可設置測量范圍：500000?（鋁） 4、標準傳感器晶體：6MHz 5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35 |
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其他配件 |
1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復合真空計，測量范圍10-5Pa~105Pa）； CY-GZK60系列小型分子泵組（含復合真空計，測量范圍10-5Pa~102Pa） VRD-4雙極旋片真空泵； 2、KF25/40真空波紋管；長度可選0.5m、1m、1.5m；KF25卡箍支架 3、膜厚儀晶振片； |
