單靶直流磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價比磁控濺射鍍膜設(shè)備，具有標(biāo)準(zhǔn)化、模塊化、可定制化的特點。磁控靶有1英寸2英寸3英寸可以選擇，客戶可以根據(jù)所鍍基板的大小自主選擇；所配電源為1500W大功率直流電源，可用于高能量的金屬濺射鍍膜，根據(jù)實驗需求也可以選配其他規(guī)格的直流或者射頻電源來實現(xiàn)各種材料的鍍膜操作。

鍍膜儀具有兩路高精度質(zhì)量流量計，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標(biāo)配先進的渦輪分子泵組，極限真空可達1.0E-5Pa，同時另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個電磁閥控制，可以實現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機工控電腦對系統(tǒng)進行控制，在電腦程序上可以實現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進一步提高您的實驗效率。

單靶磁控濺射鍍膜儀適用范圍：

該設(shè)備可用于制備單層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。該單靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點，是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備，特別適用于實驗室研究固態(tài)電解質(zhì)及OLED等。

單靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：

單靶直流磁控濺射鍍膜儀
樣 品 臺	外形尺寸	φ185mm
	加熱范圍	室溫～500℃
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	1-20rpm可調(diào)
磁 控 靶 槍	靶材平面	圓形平面靶
	濺射真空	10Pa～0.2Pa
	靶材直徑	50～50.8mm
	靶材厚度	2～5mm
	絕緣電壓	>2000V
	電纜規(guī)格	SL-16
	靶頭溫度	≦65℃
真 空 腔 體	內(nèi)壁處理	電解拋光
	腔體尺寸	φ300mm × 300mm
	腔體材料	304不銹鋼
	觀察窗口	石英窗口，直徑φ100mm
	開啟方式	上頂開啟，氣缸輔助支撐
氣 體 控 制	流量控制	質(zhì)量流量計，量程0～200SCCM氬氣
	調(diào)節(jié)閥類型	電磁調(diào)節(jié)閥
	調(diào)節(jié)閥靜止?fàn)顟B(tài)	常閉
	測量線性度	±1.5%F.S
	測量重復(fù)精度	±0.2%F.S
	測量響應(yīng)時間	≤8秒（T95）
	工作壓差范圍	0.3MPa
	閥體耐壓	3MPa
	工作環(huán)境溫度	（5～45）℃
	閥體材料	不銹鋼316L
	閥體漏率	1×10-8Pa.m3/s
	管道接頭	1/4″卡套接頭
	輸入輸出信號	0～5V
	供電電源	±15V（±5%）（＋15V  50mA,  －15V  200mA）
	外形尺寸mm	130（寬）×102（高）×28（厚）
	通訊接口	RS485 MODBUS協(xié)議
直流電源	電源功率	500W
	輸出電壓	0～600V
	定時長度	65000秒
	啟動時間	1～10秒
膜 厚 測 量	電源要求	DC:5V（±10%） *大電流 400mA
	分辨率	±0.03Hz(5-6MHz),0.0136? /測量(鋁)
	測量精度	±0.5%厚度+1計數(shù)
	測量周期	100mS～1S/次（可設(shè)置）
	測量范圍	500,000 ? (鋁)
	晶體頻率	6MHz
	通訊接口	RS-232/485串行接口
	顯示位數(shù)	8位LED顯示
分子泵	分子泵抽速	80L/S
	額定轉(zhuǎn)速	65000rpm
	振動值	≦0.1um
	啟動時間	≦4.5min
	停機時間	<7min
	冷卻方式	風(fēng)冷
	冷卻水溫度	≦37℃
	冷卻水流速	1L/min
	安裝方向	垂直±5°
	抽氣接口	150CF
	排氣接口	KF40
前級泵	抽氣速率	1.1L/S(VRD-4)
	極限真空	5×10-2Pa
	供電電源	AC:220V/50Hz
	電機功率	400W
	噪音	≦56db
	抽氣接口	KF40
	排氣接口	KF25
	放氣閥	真空腔體上裝有氣動電控放氣閥
整機極限真空		≦5×10-4Pa
真空腔體升壓率		≦2.5Pa/h
軟件系統(tǒng)		監(jiān)控管理軟件1套
測試靶材		直徑2英寸厚度3mm的銅靶材2個